Библиотека схемотехнических решений
Аналитический обзор компьютерных моделей JFET и BJ-транзисторов для задач проектирования аналоговых микросхем при одновременном воздействии низких температур и проникающей радиации
Рассмотрен комплекс средств, предназначенных для описания в "Spice-подобных" программах влияния гамма-излучения, потока нейтронов и низких температур на вольтамперные характеристики (ВАХ) биполярных транзисторов (Bipolar Junction Transistor, BJT) и полевых транзисторов с p-n-переходом (Junction Field Effect Transistor, JFET). Приведены параметры модернизированных моделей для BJT и JFET, изготовленных по двум технологическим маршрутам ОАО "ИНТЕГРАЛ", а также сравнение результатов измерений и моделирования основных ВАХ.
