Библиотека схемотехнических решений
Моделирование в LTSpice шумов CJFET микросхем при криогенных температурах
JFET транзисторы широко используются во входных каскадах аналоговых радиоэлектронных устройств для обеспечения малого входного тока и низких шумов, что особенно важно при работе с источниками сигналов с высоким внутренним импедансом. Кроме того, проведенные нами исследования позволили установить, что применение комплементарных JFET (CJFET) позволяет создавать аналоговые микросхемы, сохраняющие работоспособность при одновременном воздействии низких температур, вплоть до температуры жидкого азота, и проникающей радиации. Целью настоящей статьи является рассмотрение методики моделирования в LTSpice шумов CJFET микросхем при низких температурах.
