Библиотека схемотехнических решений
Низкотемпературный радиационно-стойкий мультидифференциальный операционный усилитель на основе BiJFet базовых матричных кристаллов: модификация МОУ-1
Для датчиков космороботов и физики высоких энергий является актуальным создание интерфейсных микросхем и инструментальных усилителей, работающих в расширенном температурном диапазоне и стойких к воздействию радиации [1]. В настоящей работе рассматривается схемотехника и результаты компьютерного моделирования BJFet (BiJFet-биполярно-полевой техпроцесс, АО «Интеграл», г. Минск [2,3]) мультидифференциального операционного усилителя (МОУ) рис. 1, предназначенного для работы в структуре радиационно-стойких и низкотемпературных инструментальных усилителей [4,5].
